创新芯片行研：ReRAM（电阻式随机存取存储器）
一、特点：ReRAM 多用于存算一体架构主要替代 NOR Flash 市场，解决 I/O 问题性能在 内存（DRAM）与 闪存（NAND Flash & NOR Flash）之间重点要考虑未来推理场景需求远高于训练场景需求二、DRAM、ReRAM、NAND Flash的差异特性DRAM（动态随机存取存储器）ReRAM（电阻式随机存取存储器）NAND Flash（闪存）存储介质利用电容存储数据利用电阻变化存储数据浮栅或电荷陷阱技术存储数据速度较快，但需周期性刷新接近静态RAM速度较慢耐用性耐久性较低耐久性高，写入次数多耐久性较高，但有限功耗需要周期性刷新，功耗较高低功耗，适合移动设备低功耗...